A Alliance Memory lançou recentemente novos SDRAMs CMOS DDR4 de 8 Gb de alta velocidade
Os dispositivos AS4C1G8D4 e AS4C512M16D4 trazem maior desempenho, menor consumo de energia e taxas de transferência de dados mais rápidas.
Para atender à crescente demanda por SDRAMs CMOS DDR4 de alta densidade, a Alliance Memory expandiu seu portfólio com dois novos dispositivos de 8 Gb: O AS4C1G8D4 e o AS4C512M16D4
Os novos dispositivos oferecem menor consumo de energia e taxas de transferência de dados mais rápidas em encapsulamentos FBGA de 78 e 96 bolas, respectivamente.
Em relação aos SDRAMs DDR3 da geração anterior, o AS4C1G8D4 e o AS4C512M16D4, possuem muito mais desempenho.
Tabela de peças:
| Part number | Density | Organization | Package | Temp. range (°C) |
| AS4C1G8D4-75BCN | 8Gb | 1Gb x 8 | 78-ball FBGA | 0 to +95 |
| AS4C1G8D4-75BIN | 8Gb | 1Gb x 8 | 78-ball FBGA | -40 to +95 |
| AS4C512M16D4-75BCN | 8Gb | 512Mb x 16 | 96-ball FBGA | 0 to +95 |
| AS4C512M16D4-75BIN | 8Gb | 512Mb x 16 | 96-ball FBGA | -40 to +95 |
Principais especificações e benefícios:
- Baixo consumo de energia de + 1,2 V (± 0,06 V)
- Oferecido em encapsulamentos FBGA de 78 e 96 bolas
- Configurado internamente como 1G x 8 bits (AS4C1G8D4) e 512M x 16 bits (AS4C512M16D4) com até 16 bancos de memória
- Velocidades de clock rápidas de 1333 MHz
- Taxas de transferência extremamente altas para 2666 Mbps / pino
- Disponível nas faixas de temperatura comercial (0 ° C a + 95 ° C) e industrial (-40 ° C a + 95 ° C)
- Suporta tipos de burst sequencial e intercalado com comprimentos de burst de leitura ou gravação de BL8 / BC4 / BC4 ou 8 em tempo real
- A função de pré-carga automática fornece uma pré-carga de linha autotemporizada iniciada no final da sequência de burst
- As funções de atualização fáceis de usar incluem atualização automática ou auto-atualização
- Compatível com RoHS
- Livre de chumbo (Pb) e halogênio
Aplicações:
Eletrônicos portáteis, designs 5G, computadores desktop e servidores para aplicações industriais, de rede, IoT, automotivas, de jogos e de consumo.
Contexto:
Em comparação com DDR3 SDRAMs, os novos 8 Gb DDR4 SDRAMs da Alliance Memory reduzem as tensões operacionais de 1,65 V para + 1,2 V (± 0,06 V) para aumentar a vida útil da bateria em eletrônicos portáteis, como smartphones e tablets.
Para maior eficiência e desempenho em designs 5G, computadores desktop e servidores, o AS4C1G8D4 de 1 Gb x 8 bits e AS4C512M16D4 de 512M x 16 bits oferecem até 16 bancos de memória.
Os dispositivos possuem velocidades de clock mais rápidas de 1333 MHz para taxas de transferência extremamente altas de 2666 Mbps/PIN.
Com o mínimo de encolhimento do die, os SDRAMs DDR4 fornecem substituições de encaixe confiável, pino a pino, compatíveis para várias soluções semelhantes, eliminando a necessidade de reprojetos e requalificação de peças, o que além de onerar o projeto, também atrasa consideravelmente.
Planilhas de dados do produto:
Saiba mais sobre a Alliance:
A empresa Alliance Memory fabrica memórias SRAM, DRAM e SDRAM pino a pino, compatível com os demais fabricantes de memória do mercado mundial.
Seus produtos são amplamente utilizados no setor automotivo e telefonia móvel embarcada.
