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Para atender à crescente demanda por SDRAMs CMOS DDR4 de alta densidade, a Alliance Memory expandiu seu portfólio com dois novos dispositivos de 8 Gb: AS4C1G8D4 e o AS4C512M16D4

Alliance Memory lança dois novos dispositivos de 8 Gb de alta velocidade

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A Alliance Memory lançou recentemente novos SDRAMs CMOS DDR4 de 8 Gb de alta velocidade

Os dispositivos AS4C1G8D4 e AS4C512M16D4 trazem maior desempenho, menor consumo de energia e taxas de transferência de dados mais rápidas.

Para atender à crescente demanda por SDRAMs CMOS DDR4 de alta densidade, a Alliance Memory expandiu seu portfólio com dois novos dispositivos de 8 Gb: O AS4C1G8D4 e o AS4C512M16D4

Os novos dispositivos oferecem menor consumo de energia e taxas de transferência de dados mais rápidas em encapsulamentos FBGA de 78 e 96 bolas, respectivamente.

Em relação aos SDRAMs DDR3 da geração anterior, o AS4C1G8D4 e o AS4C512M16D4, possuem muito mais desempenho.

Tabela de peças:

Part numberDensityOrganizationPackageTemp. range (°C)
AS4C1G8D4-75BCN8Gb1Gb x 878-ball FBGA0 to +95
AS4C1G8D4-75BIN8Gb1Gb x 878-ball FBGA-40 to +95
AS4C512M16D4-75BCN8Gb512Mb x 1696-ball FBGA0 to +95
AS4C512M16D4-75BIN8Gb512Mb x 1696-ball FBGA-40 to +95

Principais especificações e benefícios:

  • Baixo consumo de energia de + 1,2 V (± 0,06 V)
  • Oferecido em encapsulamentos FBGA de 78 e 96 bolas
  • Configurado internamente como 1G x 8 bits (AS4C1G8D4) e 512M x 16 bits (AS4C512M16D4) com até 16 bancos de memória
  • Velocidades de clock rápidas de 1333 MHz
  • Taxas de transferência extremamente altas para 2666 Mbps / pino
  • Disponível nas faixas de temperatura comercial (0 ° C a + 95 ° C) e industrial (-40 ° C a + 95 ° C)
  • Suporta tipos de burst sequencial e intercalado com comprimentos de burst de leitura ou gravação de BL8 / BC4 / BC4 ou 8 em tempo real
  • A função de pré-carga automática fornece uma pré-carga de linha autotemporizada iniciada no final da sequência de burst
  • As funções de atualização fáceis de usar incluem atualização automática ou auto-atualização
  • Compatível com RoHS
  • Livre de chumbo (Pb) e halogênio

Aplicações:

Eletrônicos portáteis, designs 5G, computadores desktop e servidores para aplicações industriais, de rede, IoT, automotivas, de jogos e de consumo.

Contexto:

Em comparação com DDR3 SDRAMs, os novos 8 Gb DDR4 SDRAMs da Alliance Memory reduzem as tensões operacionais de 1,65 V para + 1,2 V (± 0,06 V) para aumentar a vida útil da bateria em eletrônicos portáteis, como smartphones e tablets.

Para maior eficiência e desempenho em designs 5G, computadores desktop e servidores, o AS4C1G8D4 de 1 Gb x 8 bits e AS4C512M16D4 de 512M x 16 bits oferecem até 16 bancos de memória.

Os dispositivos possuem velocidades de clock mais rápidas de 1333 MHz para taxas de transferência extremamente altas de 2666 Mbps/PIN.

Com o mínimo de encolhimento do die, os SDRAMs DDR4 fornecem substituições de encaixe confiável, pino a pino, compatíveis para várias soluções semelhantes, eliminando a necessidade de reprojetos e requalificação de peças, o que além de onerar o projeto, também atrasa consideravelmente.

Planilhas de dados do produto:

AS4C1G8D4

AS4C512M16D4

Saiba mais sobre a Alliance:

A empresa Alliance Memory fabrica memórias SRAM, DRAM e SDRAM pino a pino, compatível com os demais fabricantes de memória do mercado mundial.

Seus produtos são amplamente utilizados no setor automotivo e telefonia móvel embarcada.

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Franciele Nornberg

Mestre em Engenharia Elétrica pela UFSC (2019), graduada em Engenharia Elétrica pelo IFSul em 2017. Trabalha na Macnica DHW desde 2019. Seu conhecimento técnico somado a utilização das boas práticas de copywriter são responsáveis pelos excelentes conteúdos divulgados no blog da Macnica. Franciele é também Instrutora Autorizada FPGA Intel e portanto, responsável pelo Treinamento FPGA Intel.